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在制造半導體芯片的絕緣層（如二氧化硅薄膜）時，常用的化學氣相沉積方法是使用硅烷（SiH?）和氧氣（O?）作為反應氣體。氣體質量流量控制器（MFC）精確控制硅烷和氧氣的流量，確保它們以準確的比例進入反應室。這對于生成高質量、均勻的二氧化硅薄膜至關重要。因為薄膜的厚度、成分和質量直接影響半導體器件的性能，如絕緣性能和電子遷移特性。應用產品MFC300-03A氣體質量流量控制器MFC300-03D氣體質量流量控制器MFC330-05E氣體質量流量控制器MFC330-05S氣體質量流量控制器MFM330

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